Devre Teorisi 1 · Birinci Derece Geçici Rejim

#45 Geçici Analiz #45 — RC darbe girişi cevabı

Sonlu süreli bir darbe girişini iki basamağa ayırır; RC devresinin T öncesi şarjını, T sonrası boşalmasını ve sayısal örneğini çözer.

Soru

Sonlu süreli darbe girişinin iki basamağa ayrılması.
Pozitif başlangıç basamağı T anındaki negatif basamakla iptal edilir.

R=10 kΩ, C=100 μF olan yüksüz RC devresine 0≤t<2 s boyunca 5 V darbe uygulanıyor. Parçalı v_C(t), v_C(2), v_C(3) ve v_C(5) değerlerini bulun.

Yazılı çözüm ve anlatım dökümü(çözümün tamamını gösterir)

Aşağıda defterde yazılan bütün satırlar ve bunlara eşlik eden sesli anlatımın tam metni bulunur.

  1. 1. Darbe girişi iki basamağın toplamıdır

    Sonlu süreli darbe girişinin iki basamağa ayrılması.
    Pozitif başlangıç basamağı T anındaki negatif basamakla iptal edilir.
    Kaynak yalnız 0≤t<T aralığında açık
    vs(t)=VS[u(t)u(tT)]\displaystyle v_{s}\left(t\right)=V_{S}\left[u\left(t\right)-u\left(t-T\right)\right]
    t=0'da +VS basamağı uygulanır
    t=T'de −VS basamağı uygulanır
    İkinci basamak ilkini iptal eder
    Darbe = pozitif basamak + gecikmiş negatif basamak
    Her basamak cevabını ayrı çöz
    Gecikmiş cevapta yerel zaman t−T'dir
    Sonuçları süperpozisyonla topla

    Sesli anlatım metni

    Bir gerilim kaynağı sadece sınırlı bir süre uygulandığında ne olur? Buna darbe girişi denir. Darbe girişini matematiksel olarak şöyle ifade ederiz: v s of t eşittir V S çarpı u of t eksi u of t eksi T. Yani kaynak t eşittir sıfırda açılır ve t eşittir T de kapanır. Buradaki anahtar fikir süperpozisyon dur: darbe girişini iki basamak girişinin toplamı olarak ele alırız. Birinci basamak t eşittir sıfırda V S genliğiyle açılır. İkinci basamak t eşittir T de eksi V S genliğiyle açılarak birinciyi iptal eder. Her basamak cevabını ayrı ayrı çözer, sonra sonuçları toplarız.

  2. 2. RC darbe cevabının iki bölgesi

    RC darbe cevabının şarj ve boşalma bölgeleri.
    T öncesinde kaynakla şarj, T sonrasında v_C(T)'den doğal boşalma.
    Kapasitör başlangıçta yüksüz
    0≤t<T: kaynak devrede
    vC(t)=VS(1e(t/τ))\displaystyle v_{C}\left(t\right)=V_{S}\left(1-e^{(}-t/\tau )\right)
    τ=RC
    t=T anında vC süreklidir
    T sonrasında kaynak kapanır
    Yeni başlangıç değeri vC(T)'dir
    t≥T:
    vC(t)=vC(T)e((tT)/τ)\displaystyle v_{C}\left(t\right)=v_{C}\left(T\right)e^{(}-\left(t-T\right)/\tau )
    Önce şarj, sonra doğal boşalma

    Sesli anlatım metni

    Süperpozisyon kullanarak Ar Si darbe cevabını türetelim. t eşittir sıfırdaki ilk basamak için kapasitör şu şekilde şarj olur: v bir of t eşittir V S çarpı bir eksi e üssü eksi t bölü tav. Bu zaten bildiğimiz standart basamak cevabıdır. Şimdi t eşittir T de negatif bir basamak gelir. Bu ikinci basamağa olan cevap: v iki of t eşittir eksi V S çarpı bir eksi e üssü eksi t eksi T bölü tav, t büyük eşit T için geçerlidir. İki cevabı toplarsak iki bölge elde ederiz. Sıfır küçük t küçük T için: v si of t eşittir V S çarpı bir eksi e üssü eksi t bölü tav. Kapasitör basitçe şarj olur. t büyük eşit T için: v si of t eşittir V S çarpı e üssü eksi t eksi T bölü tav eksi e üssü eksi t bölü tav. Bu, T anındaki gerilimin o noktadan itibaren üstel azalması olarak yeniden yazılabilir.

  3. 3. 5 V ve 2 s RC darbe örneği

    10 kΩ, 100 μF, 5 V ve 2 s darbe örneği.
    Bir saniyelik zaman sabitinde 2, 3 ve 5 saniye gerilimleri.
    R=10kΩ,C=100μF,VS=5V,T=2s\displaystyle R=10 k\Omega , C=100 \mu F, V_{S}=5 V, T=2 s
    τ=RC=1 s
    0≤t<2:
    vC=5(1e(t))V\displaystyle v_{C}=5\left(1-e^{(}-t)\right) V
    Darbe sonundaki gerilim
    vC(2)=5(1e2)=4,32V\displaystyle v_{C}\left(2\right)=5\left(1-e⁻²\right)=4,32 V
    t≥2:
    vC=4,32e((t2))V\displaystyle v_{C}=4,32e^{(}-\left(t-2\right)) V
    vC(3)=1,59V\displaystyle v_{C}\left(3\right)=1,59 V
    vC(5)=0,215V0,22V\displaystyle v_{C}\left(5\right)=0,215 V\approx 0,22 V
    Boşalma beş volttan değil 4,32 volttan başlar

    Sesli anlatım metni

    Sayısal bir örnek çözelim. Verilen: R eşittir on kiloom, Si eşittir yüz mikrofarad, V S eşittir beş volt ve darbe genişliği T eşittir iki saniye. Zaman sabiti tav eşittir R çarpı Si eşittir on bin çarpı yüz çarpı on üssü eksi altı, bu da tav eşittir bir saniye verir. Birinci bölgede, sıfır küçük t küçük iki saniye için: v si of t eşittir beş çarpı bir eksi e üssü eksi t. t eşittir iki saniyede kapasitör gerilimi v si iki eşittir beş çarpı bir eksi e üssü eksi iki, bu da dört nokta otuz iki volt eder. İkinci bölgede, t büyük eşit iki saniye için, kaynak kapanır ve kapasitör dört nokta otuz iki volttan boşalır: v si of t eşittir dört nokta otuz iki çarpı e üssü eksi t eksi iki. t eşittir üç saniyede: v si eşittir dört nokta otuz iki çarpı e üssü eksi bir, bu da bir nokta elli dokuz volt verir. t eşittir beş saniyede: v si eşittir dört nokta otuz iki çarpı e üssü eksi üç, bu da yaklaşık sıfır nokta yirmi iki volt eder.

  4. 4. Darbe uygulamaları ve çözüm yöntemi

    Darbe ve çoklu anahtarlama için süperpozisyon yöntemi.
    Girişi böl, zamanı kaydır ve cevapları doğru başlangıç koşuluyla topla.
    Karmaşık girişi basit parçalara ayır
    Dijital saat ve veri sinyalleri darbe dizileridir
    RC cevabı zamanlama gecikmesini belirler
    Kısa uyarımlar sensör geçici cevabını ölçer
    Tıbbi ve güç sistemleri kontrollü enerji darbeleri kullanır
    Her parçanın başlangıç zamanını açıkça yaz
    Anahtarlama anındaki durum sonraki bölgenin başlangıcıdır
    Cevapları yalnız geçerli oldukları bölgede kullan
    Sonuçta süreklilik ve sınır kontrolü yap

    Sesli anlatım metni

    Darbe girişleri mühendisliğin her yerinde karşımıza çıkar. Dijital devrelerde saat sinyalleri ve veri yolları temelde darbe dizileridir. Ar Si devrelerinin darbelere nasıl cevap verdiğini anlamak, sinyal bütünlüğünü ve zamanlama gecikmelerini tahmin etmemize yardımcı olur. Sensör sistemlerinde kısa darbeler devreleri uyarıp geçici cevaplarını ölçmek için kullanılır. Defibrilatör gibi tıbbi cihazlarda kalbe kontrollü bir enerji darbesi uygulanır. Bu derste ileride neler geleceğine dair bir ön izleme: giriş sinüzoidal olduğunda analiz dramatik olarak değişir. A Si kararlı hal devrelerini ele almak için fazör yöntemi ve empedans kavramlarını kullanacağız.

  5. 5. Darbe cevabı özeti ve giriş önizlemesi

    RC darbe cevabının parçalı gerilim grafiği.
    Gerilim T'ye kadar yükselir, sonra aynı değerden üstel azalır.
    Darbe cevabının ana fikri: iki basamak
    T öncesi RC şarj cevabıdır
    T sonrası vC(T)'den doğal boşalmadır
    Örnekte τ=1 s ve vC(T)=4,32 V
    Üstel girişte kaynak ve doğal cevap hızları birlikte görünür
    Hızlar eşitse tekrarlı-kök biçimi t·e(−t/τ) oluşur
    Sinüzoidal girişler fazör ve empedans gerektirir
    Aynı parçalı mantık çoklu anahtarlamaya uzanır
    Sonraki konu: ardışık anahtarlama

    Sesli anlatım metni

    Özetleyelim. Bugün üç tür giriş işledik. Birincisi darbe girişi: anahtar teknik, t eşittir sıfırda pozitif ve t eşittir T de negatif olmak üzere iki basamak cevabının süperpozisyonudur. Cevap iki bölgelidir: t küçük T için şarj, t büyük T için deşarj. İkincisi üstel girişler: kaynak azalma hızı A, bir bölü tav dan farklıysa iki ayrı üstel elde ederiz. A eşittir bir bölü tav ise özel rezonans formu t çarpı e üssü eksi t bölü tav elde ederiz. Üçüncüsü sinüzoidal girişlerden kısaca bahsettik, bunlar fazör analizi gerektirir. Bir sonraki derste farklı zamanlarda birden fazla anahtarlama olayının gerçekleştiği ardışık anahtarlama devrelerini inceleyeceğiz.