أساسيات الإلكترونيات #19 | ترانزستوران مركّبان: انحياز مقسّم الجهد
ترانزستورات BJTالمعلّم: Dr. Süleyman Burak ÇELİK
حللنا انحياز مقسّم الجهد لترانزستور واحد. اليوم نرفع الرهان: ترانزستوران مركّبان واحد فوق الآخر، يتقاسمان مقسّم انحياز واحداً. يبدو ضِعفَ الدائرة — لكنه يتبيّن أنه تمريرة واحدة نظيفة إن قرأته بالطريقة الصحيحة. الدائرة: V_CC = 20 فولت، مقسّم من ثلاث مقاومات (7.5 كيلو أوم، 6.2 كيلو أوم، 3.9 كيلو أوم)، مقاومة مجمّع 1.5 كيلو أوم، مقاومة باعث 1 كيلو أوم، وترانزستوران ببيتا = 100. المطلوب: تيار المجمّع وجهد المجمّع-الباعث لكلّ ترانزستور — أربعة أرقام. الصورة المفتاح: تخيّل أنبوباً واحداً في داخله توربينان مائيّان مركّبان. التيار نفسه يدير كليهما — وما يجري عبر العلوي يجري عبر السفلي. هذا التيار المشترك الواحد هو ما يجعل المسألة كلّها بسيطة. ما ستتعلّمه: - مقسّم واحد، نقطتا اقتطاع: سلّم من ثلاث مقاومات يسلّمك جهدَي قاعدة دفعةً واحدة (V_B1 = 4.43 فولت في الأسفل، V_B2 = 11.48 فولت في الأعلى) - مسار تيّار واحد: الترانزستوران مقيّدان معاً، فتيار مجمّع العلوي يساوي السفلي — تحلّهما معاً، من الأسفل إلى الأعلى - لماذا تسقط بيتا من جديد: في مقسّم صلب يأتي جهدا القاعدة من المقاومات والتيار من جهد ومقاومة الباعث، فلا تعتمد نقطة التشغيل على بيتا أبداً - حلقتا كيرشوف تنهيان المهمّة: الحلقة الوسطى تعطي V_CE للترانزستور السفلي، والخارجية للعلوي النتائج: V_B1 = 4.43 فولت، V_B2 = 11.48 فولت، I_C1 = I_C2 = 3.73 ميلّي أمبير، V_CE1 = 7.05 فولت، V_CE2 = 3.62 فولت. فحص سلامة: الهبوطات الأربعة حول الحلقة الخارجية تعود فتُجمَع إلى مصدر العشرين فولت. الفصول: 0:00 مقدّمة 0:03 ترانزستوران، مقسّم واحد — الإعداد وصورة التوربين 1:12 اقرأ الدائرة أولاً: ثلاث ملاحظات 2:45 الخطوة 1 — جهدا قاعدة من سلّم واحد 4:21 الخطوة 2 — تيار واحد للترانزستورين (بيتا تسقط) 5:58 الخطوة 3 — جهد المجمّع-الباعث للترانزستور السفلي (الحلقة الوسطى) 7:17 الخطوة 4 — جهد المجمّع-الباعث للعلوي (الحلقة الخارجية) 8:45 الخلاصة وما يأتي بعد ذلك الدرس القادم: التحليل البياني للتيار المستمر — خطّ الحِمل ونقطة العمل، حيث تلتقي منحنيات الترانزستور بخطّ الدائرة المستقيم. المرجع: Boylestad, Electronic Devices and Circuit Theory