أساسيات الإلكترونيات #40 | مقاومة مصدر الموسفت: أين ذهب الكسب؟

مضخمات MOSFET للإشارة الصغيرة

المعلّم: Dr. Süleyman Burak ÇELİK

إذا ارتفع جهد بوابة الموسفت بمقدار ملي فولت، فهل يشعر الترانزستور بالتغير كله عندما يستطيع المصدر أن يرتفع أيضا؟ تنشئ مقاومة المصدر غير المتجاوزة تغذية راجعة سالبة محلية. نشتق تقاسم جهد الدخل بين في جي إس وجهد المصدر، والكسب سالب جي إم آر دي على واحد زائد جي إم آر إس، ومقاومة دخل مثالية لا نهائية ومقاومة خرج آر دي في نموذج آر أو اللا نهائية. يعتمد الدرس على المصدر التركي 55. المثال التعليمي الإضافي يستخدم تيار انحياز 1 ملي أمبير وناقلية متبادلة 2 ملي سيمنز وآر دي 4.7 كيلو أوم وآر إس 1 كيلو أوم وتغذية 12 فولت. يتقاسم تغير بوابة موجب 1 ملي فولت إلى نحو موجب 0.333 ملي فولت بين البوابة والمصدر وموجب 0.667 ملي فولت بين المصدر والأرضي، ليعطي خرجا نحو سالب 3.133 ملي فولت. تبين مؤشرات الجهد الثلاثة ذات المقياس المشترك مجموع الدخل نفسه، وللخرج مقياس مستقل. تقريب سالب آر دي على آر إس لا يصبح دقيقا بمجرد وجود مقاومة مصدر. هنا جي إم آر إس تساوي اثنين وليست أكبر كثيرا من واحد؛ يبالغ التقريب في مقدار الكسب بخمسين بالمئة. تتطلب مقارنة مقاومة مصدر صفر بمقاومة 1 كيلو أوم عند تيار المصرف نفسه إعادة انحياز البوابة من 2 إلى 3 فولت في هذا المثال. نفترض تشبع قناة إن وإشارة صغيرة ونطاقا متوسطا ومقاومة خرج داخلية لا نهائية، ونهمل تأثير الجسم وتيار البوابة ولا نصل حملا خارجيا. آر إس مقاومة مصدر الترانزستور لا مقاومة مولد الإشارة؛ ولا يوجد مكثف تجاوز. تمثل المؤشرات تغيرات جهد متناوب لا جهود المستمر الكلية ولا إزاحة ميكانيكية. تجيب تجربة الختام عن سؤال البداية. الفصول: 0:00 ترتفع البوابة ويرتفع المصدر أيضا 1:31 نتتبع جهد التحكم 3:04 الكسب ومقاومتا المنفذين 4:36 تجربة عددية 7:09 التقريبات والإجابة