أساسيات الإلكترونيات #31 | المجال والثنائي: التقريب وبيتا المحدودة
ترانزستورات JFET ودوائر الانحيازالمعلّم: Dr. Süleyman Burak ÇELİK
نحسب جهدي المصرف والمجمع في دائرة الانحياز الأصلية التي تجمع ترانزستور المجال والترانزستور الثنائي. نبدأ بالدائرة كاملة، ونحل تقريب المقسم غير المحمل المستخدم في الأصل، ثم نضيف تيار القاعدة المحدود ونقارن النموذجين المعلنين. الدرس الأصلي 46: تغذية 16 فولت، ومقاومة مصرف 2.7 كيلو أوم، ومقاومة باعث 1.6 كيلو أوم، ومقسم قاعدة من 82 و24 كيلو أوم، وميغا أوم واحد بين القاعدة وبوابة ترانزستور المجال. تيار انحياز البوابة الصفري 12 ملي أمبير، وجهد القطع سالب 6 فولت، وبيتا 180، وهبوط قاعدة إلى باعث مفترض 0.7 فولت. نسختا ملف المصدر تعرضان المسألة نفسها. التقريب: تيار نحو 1.827 ملي أمبير، وجهد مجمع 7.282 فولت، وجهد مصرف 11.068 فولت، أو 11.067 فولت مع تقريب التيار مبكرا كما في الأصل. نموذج بيتا المحدودة: تيار 1.707 ملي أمبير، وجهد مجمع 7.184 فولت، وجهد مصرف 11.391 فولت. نفحص قانون التيارات وحلقات الجهد وتشبع ترانزستور المجال والمنطقة الفعالة للثنائي. تيار المصرف يساوي تيار المجمع، لكن تيار الباعث يساوي مجموع تياري المجمع والقاعدة. يبقى الحساب المحسن نموذجا مستمرا مثاليا: تيار بوابة مهمل، وهبوط قاعدة إلى باعث ثابت، ودون تأثير إرلي، ومعادلة شوكلي مبسطة. ليس تنبؤا دقيقا تماما بترانزستور حقيقي. الفصول: 0:00 نبدأ بالجهدين المطلوبين 1:08 أولا: التقريب المستخدم في الأصل 2:15 نربط قانون المجال بجهود العقد 5:47 نضيف تيار القاعدة وتحميل المقسم 8:45 نفحص الترانزستورين، ثم نقارن