أساسيات الإلكترونيات #32 | انحياز الثنائي والمجال: تيار الباعث

ترانزستورات JFET ودوائر الانحياز

المعلّم: Dr. Süleyman Burak ÇELİK

نحسب جهد مصرف ترانزستور المجال في الدائرة الأصلية التي تضع الترانزستور الثنائي فوق ترانزستور مجال ذاتي الانحياز. التيار المشترك هنا هو تيار المصرف ويساوي تيار باعث الثنائي، لا تيار مجمعه. نبدأ بالدائرة كاملة، ونحل معادلة المجال، ونختار الجذر الفيزيائي، ثم نستخدم حلقة قاعدة الثنائي. الدرس الأصلي 47: تغذية 16 فولت، ومقاومة مجمع 3.6 كيلو أوم، ومقاومة قاعدة 470 كيلو أوم، ومقاومة مصدر 2.4 كيلو أوم، وبوابة مجال مؤرضة، وبيتا 80، وهبوط قاعدة إلى باعث مفترض 0.7 فولت، وتيار انحياز بوابة صفري 8 ملي أمبير، وجهد قطع سالب 4 فولت. تصف نسخ المصدر الثلاث المسألة نفسها. النتائج المفحوصة داخل النموذج المثالي: تيار مصرف 1.060 ملي أمبير، وجهد بوابة إلى مصدر سالب 2.544 فولت، وتيار قاعدة 13.086 ميكرو أمبير، وجهد مصرف 9.149 فولت. جهد المصرف إلى المصدر 6.605 فولت يتجاوز حد التشبع 1.456 فولت. جهد مجمع الثنائي 12.231 فولت أعلى من جهد القاعدة 9.849 فولت. نفحص منطقتي التشغيل. تختلف نتيجتا المصدر 9.15 و9.19 فولت لأن مقاومة القاعدة الكبيرة تضخم التقريب المبكر لتيار القاعدة إلى 13 ميكرو أمبير. نحتفظ بالأرقام الإضافية ونشرح الفرق الذي يقارب 41 ملي فولت. تحليل مستمر مثالي مع تيار بوابة مهمل وهبوط قاعدة إلى باعث ثابت وقوانين مبسطة؛ وليس تنبؤا دقيقا بكل عنصر حقيقي. الفصول: 0:00 نحدد جهد المصرف المطلوب 1:07 نستخرج العلاقة من البوابة المؤرضة 2:17 نحل التيار ونختار الجذر الفيزيائي 4:19 نستخدم تيار الباعث لإيجاد جهد المصرف 5:30 نفحص المنطقتين ونحافظ على الدقة 7:21 نقرأ نقطة التشغيل من النموذجين